Кт 815 б

Наиболее трудоёмким узлом классического сетевого источника питания является, как известно, понижающий трансформатор. Для облегчения повторения предлагаемого вниманию читателей блока питания в нём применён готовый унифицированный трансформатор ТН трансформатор накальный го типоразмера на сетевое напряжение В, 50 Гц. Наличие у него четырёх вторичных обмоток позволило получить на выходе блока столько же фиксированных значений переменного и …. При принятии окончательного решения о замене функционального аналога необходимо руководствоваться информацией, приведенной в технической спецификации и ТУ на изделие. Автомобильной аппаратуры, рассчитанной на напряжение питания 12 В, у нас накапливается все больше.

Транзистор КТ815Б

Транзисторы ПГ с хранения 30шт. ПА 1шт. ПБ 2шт. ПВ 6шт. ПГ 3шт. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Регулятор напряжения на кт805 (кт815,817) Универсальный

Продаем горшки

Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора КТБ. Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов золота, серебра, платины и МПГ в транзисторе с указанием его веса которые используются или использовались при производстве в радиотехнике. Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТБ. Золото: 0, грамм. Серебро: 0 грамм.

Эта заявка не накладывает на Вас никаких обязательств. Ожидайте предложения от поставщика.

Характеристики и их аналоги. Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Используются в ключевых и линейных схемах,усилителях НЧ,преобразователях,операционных и дифференциальных усилителях. Unknown PM.

Полупроводники - КТ815Б

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры порядкового номера на схеме. Условное графическое обозначение транзистора КТБ обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы. Имя обязательное.

Транзистор КТ815 (n-p-n типа).

Транзистор КТБ кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, применяется в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Имеет пластмассовый корпус с жесткими выводами. Масса не более 1 г. Тип корпуса: КТ ТО Технические характеристики транзистора кремниевого меза-эпитаксиально-планарного КТБ: Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт - 10 Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц - 3 Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В - 50 Максимальное напряжение эмиттер-база, В - 5 Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А - 1,5 Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А - 3 Обратный ток коллектора, не более, мА - 0,05 Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером, не менее - 40 Емкость коллекторного перехода, не более, пФ - 60 Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером, не более, Ом - 1,2. Компания Вертекс Поставка электронных компонентов. КТБ Транзистор. Цена зависит от количества, поэтому запрашивайте цены с указанием количества. Описание и технические параметры Транзистор КТБ кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, применяется в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.

Транзисторы П217Г кт908А кт841Б кт809А(Б) кт805А

Обратный звонок. Каталог КТБ. Золото: 0. Подать заявку на продажу данного товара Расчитать стоимость. Списание с баланса предприятий лома драгоценных металлов.

Цена приведена как справочная информация и может быть изменена в любое время без предупреждения.

KT815 Datasheet

Электрика-это просто!. Транзистор П Схемы металло искателей. Схемы цвето музыкальных устройств. Транзисторы П Т ранзисторы П - германиевые, мощные, низкочастотные, структуры - p-n-p.

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Шок! 2 грамма золота! Золото из советских ТРАНЗИСТОРОВ!

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1, мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
x